O que é o módulo IGBT?

O transistor bipolar de porta isolada IGBT é um dispositivo semicondutor de potência acionado por tensão totalmente controlado composto de BJT (transistor bipolar) e MOS (transistor de efeito de campo de porta isolada). Ele tem as vantagens da alta impedância de entrada do MOSFET e da baixa queda de tensão do GTR. A tensão de saturação de GTR é reduzida e a densidade de condução de corrente é alta, mas a corrente de acionamento é relativamente grande. A potência da unidade MOSFET é muito pequena, a velocidade de chaveamento é rápida, mas a queda de tensão na ativação é grande e a densidade de condução de corrente é pequena. O IGBT combina as vantagens dos dois dispositivos acima, com baixa potência de acionamento e tensão de saturação reduzida.